總結:研究人員研發了一種用于場效應晶體管(field-effecttransistors,FETs)的高性能超薄聚合絕緣體。他們用汽化單體在多種表面成功制備出聚合膜,比如塑料,這些普適的絕緣體為將來在電子設備上的應用打下了基礎。
該原理圖展示了如何利用化學氣相沉積(iCVD)技術制備pV3D3聚合膜:(i)引入汽化單體和引發劑,(ii)激活的引發劑受熱分解成自由基,(iii)單體和引發劑自由基被吸附到一個基底上,(iv)聚合自由基轉化成pV3D3薄膜。(圖片來源:KAIST)
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