總結：研究人員研發了一種用于場效應晶體管（field-effecttransistors，FETs）的高性能超薄聚合絕緣體。他們用汽化單體在多種表面成功制備出聚合膜，比如塑料，這些普適的絕緣體為將來在電子設備上的應用打下了基礎。

     該原理圖展示了如何利用化學氣相沉積（iCVD）技術制備pV3D3聚合膜：（i）引入汽化單體和引發劑，（ii）激活的引發劑受熱分解成自由基，（iii)單體和引發劑自由基被吸附到一個基底上，（iv）聚合自由基轉化成pV3D3薄膜。（圖片來源：KAIST）